蚀刻技术大致上可分成两种，干式蚀刻与湿式蚀刻。湿式蚀刻中为使用化学药剂，经过化学反应以达到蚀刻之目的；干式蚀刻为一种电浆式蚀刻，其原理为电浆中离子撞击试片的物理动作或者为电浆中的自由基与试片表面的薄膜产生化学反应。

反应离子蚀刻中可以非常精确地控制其蚀刻轮廓、蚀刻速率和均匀性，并具有重复性。等向性蚀刻以及非等向性蚀刻都是可能的。因此，RIE制程是化学物理蚀刻制程，也是半导体制造中用于构造各种薄膜的最重要制程。

感应耦合电浆由磁场围绕石英晶体管所提供。产生的高密度电浆被线圈包围，将充当变压器中的次级线圈，加速电子和离子，从而引起碰撞，产生更多的离子和电子。高密度的电浆和低真空度增强了具有非等向性的高蚀刻速率。

原子层蚀刻是一种先进的蚀刻技术，可精准的控制其蚀刻深度。随着元件尺寸的减小，需要进一步的使用ALE才能达到其所需的精度，该技术克服了原子级常规蚀刻的局限性。基于电浆的原子层蚀刻是气体以定量注入和离子轰击的周期性蚀刻过程，并具有去除单个薄膜层、极低的损坏率等优点。

离子束蚀刻 (IBE) 是一种先进的蚀刻技术，利用离子源以卓越的均匀性和精度从样品表面去除材料。